企业简介
联华电子股份有限公司 main business:hardware tool and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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联华电子股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 2023196 |  |
E-MASK | 光掩膜的测试(为他人)；光掩膜设计(为他人) | 查看详情 | |
| 2 | 3263959 |  |
IP SCANNER | 2002-08-05 | 提供有关半导体、积体电路之设计、开发或技术咨询服务;晶片、光罩及积体电路测试;提供有关半导体晶片或积体电路设计元件之电脑资料库运用及咨询服务;提供他人积体电路 | 查看详情 |
| 3 | 528590 |  |
联电 | 集成电路，半导体器件和有关的元件，微型计算机外围装置和有关的系统装置，半导体存储装置和有关的系统装置，收集和传送数据用半导体器件和有关的系统装置，通信系统，电话，存储器，微型计算机和计算器用的半导体器件和有关的系统装置 | 查看详情 | |
| 4 | 1915618 |  |
IP MASTER | 2001-08-29 | 半导体；集成电路板；录有半导体晶片处理设备、元件及生产技术之数据库的磁盘或磁卡；录有设计集成电路制程、元件的电脑软件；用于集成电路设计元件及生产技术之数据库进行设计与建置的电脑软件 | 查看详情 |
| 5 | 4169514 |  |
BULLET SHUTTLE | 2004-07-14 | 集成电路；半导体；晶片；晶圆；光罩；供集成电路程式设计用之电脑软件；录有设计集成电路制程、元件之软体程式；集成电路测试仪器；半导体器件 | 查看详情 |
| 6 | 4216036 |  |
SILICON SHUTTLE | 2004-08-11 | 制作晶片(为他人)；集成电路之切割或成型加工；集成电路之封装、加工服务；晶片蚀刻及分割处理；矽晶片加工处理服务；矽晶片及半导体之抛光服务；为他人组配集成电路、光掩模及电子或电脑晶片 | 查看详情 |
| 7 | 3263960 |  |
IP SCANNER | 2002-08-05 | 半导体;积体电路;晶片;用于集成电路设计元件及生产技术之数据库进行设计与建置的电脑软件;录有设计集成电路制程、元件的电脑软件;积体电路测试仪器;录有电子形式的 | 查看详情 |
| 8 | 717625 |  |
IVESA | 集成电路，个人电脑主机板，个人电脑界面卡 | 查看详情 | |
| 9 | 4169425 |  |
SHUTTLE EXPRESS | 2004-07-14 | 制作晶片(为他人)；集成电路之切割或成型加工；为他人组配集成电路、光罩及电子或电脑晶片 | 查看详情 |
| 10 | 4169435 |  |
SHUTTLE EXPRESS | 2004-07-14 | 集成电路；半导体；晶片；晶圆；光罩；供集成电路程式设计用之电脑软体；录有设计集成电路制程、元件之软体程式；集成电路测试仪器；半导体器件 | 查看详情 |
| 11 | 4169515 |  |
SHUTTLE EXPRESS | 2004-07-14 | 半导体或集成电路等相关材料及产品之测试；提供有关半导体、晶片、晶圆及集成电路之研发、设计、测试及咨询服务；出租包括商业和金融信息的CD光盘；研究与开发(替他人)；技术研究；集成电路设计；提供半导体晶圆处理设备的生产技术指标资料；提供有关集成电路设计的信息 | 查看详情 |
| 12 | 528591 |  |
联电 | 集成电路，半导体器件和有关的元件，微型计算机外围装置和有关的系统装置，半导体存储装置和有关的系统装置，收集和传送数据用半导体器件和有关的系统装置，通信系统，电话，存储器，微型计算机和计算器用的半导体器件和有关的系统装置 | 查看详情 | |
| 13 | 503589 |  |
UMG | 集成电路，半导体器件和有关的元件；微型计算机及辅助装置和有关的辅助系统；半导体存储装置和有关的辅助系统，半导体器件和有关的辅助系统及数据的收集和数据的输送系统；半导体器件和有关的辅助系统；使用于通讯系统，电话存储器、微型计算机和计算器的系统 | 查看详情 | |
| 14 | 717626 |  |
OIA | 集成电路，个人电脑主机板，个人电脑界面卡 | 查看详情 | |
| 15 | 824616 |  |
地球 | 磁带，存储器，条码扫瞄器 | 查看详情 | |
| 16 | 15049848 |  |
U-MASK | 2014-07-31 | 质量检测；技术研究；材料测试；工业品外观设计；计算机系统分析；信息技术咨询服务； | 查看详情 |
| 17 | 664411 |  |
联邦 | 电容器，电容测试器，断电器，仪器装置用的隔膜、方铅晶体，集成电路，晶片，晶体管，电感器，感应器，磁带，光学纤维，存储器，条码扫描器，积体电器 | 查看详情 | |
| 18 | 4216035 |  |
SILICON SHUTTLE | 2004-08-11 | 矽晶片及半导体设计；提供集成电路、光掩模之设计服务；晶片及集成电路的研发；透过全球通讯网路提供半导体晶片之产品测试服务；透过网际网路提供半导体晶片设计之软件资料；晶片及集成电路的测试；晶片及集成电路的技术咨询；以数据库形式提供半导体晶片处理系统、集成电路设计和使用方法的技术资料服务 | 查看详情 |
| 19 | 1594559 |  |
UMC | 半导体，集成电路 | 查看详情 | |
| 20 | 1603986 |  |
UMC | 半导体和集成电路的测试（为他人），半导体和集成电路设计（为他人） | 查看详情 | |
| 21 | 4216037 |  |
SILICON SHUTTLE | 2004-08-11 | 半导体；晶片；集成电路；印刷电路板；集成电路脚座；录有设计集成电路、半导体晶片制程之电脑软件 | 查看详情 |
| 22 | 1691808 |  |
UMC | 定做半导体和集成电路（为他人） | 查看详情 | |
| 23 | 2015797 |  |
IP MASTER | 2001-08-29 | 半导体芯片及集成电路设计测试 | 查看详情 |
| 24 | 1915263 |  |
E MASK | 2001-03-15 | 光掩膜 | 查看详情 |
| 25 | 1958119 |  |
E-MASK | 2001-03-15 | 定做光掩膜材料装配(替他人) | 查看详情 |
| 26 | 4169513 |  |
BULLET SHUTTLE | 2004-07-14 | 制作晶片(为他人)；集成电路之切割或成型加工；为他人组配集成电路、光罩及电子或电脑晶片 | 查看详情 |
| 27 | 4169512 |  |
BULLET SHUTTLE | 2004-07-14 | 半导体或集成电路等相关材料及产品之测试；提供有关半导体、晶片、晶圆及集成电路之研发、设计、测试及咨询服务；出租包括商业和金融信息的CD光盘；研究与开发(替他人)；技术研究；集成电路设计；提供半导体晶圆处理设备的生产技术指标资料；提供有关集成电路设计的信息 | 查看详情 |
| 28 | 548382 |  |
图形 | 集成电路，半导体器件和有关的元件；微型计算机及辅助装置和有关的辅助系统；半导体存、储装置和有关的辅助系统；半导体器件和有关的辅助系统及数据的收集和数据的输送系统；半导体器件和有关的辅助系统使用于通讯系统，电话、存储器、微型计算机和计算器的系统 | 查看详情 |
联华电子股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200935072 | 取样方法及其资料恢复电路 | 2009.08.16 | 一种取样方法及其资料恢复电路。此取样方法包括下列步骤，首先，提供第一时脉、第二时脉、第三时脉及第四时 |
| 2 | TW200830520 | 晶片堆叠封装结构 | 2008.07.16 | 一种晶片堆叠封装结构，其包括一基板、一第一晶片、多个导电体、一第二晶片与多个导电柱。基板具有一第一表 |
| 3 | TW396421 | 降低源极/汲极区接合电容之方法 | 2000.07.01 | 一种降低源极/汲极区接合电容之方法，在原有之源极/汲极区之砷离子植入步骤后，再加入进行一次磷离子植入 |
| 4 | TW392325 | 金属化制程与结构 | 2000.06.01 | 一种金属化制程与结构，首先提供一半导体基底，在其上已形成多层铜内连线层。然后，在最顶层的铜内连线上形 |
| 5 | TW396624 | 快闪记忆体之制造方法 | 2000.07.01 | 本发明提供一种应用于NOR型阵列之快闪记忆体的制造方法，系应用目前的制程技术，以具有极限图案的罩幕层 |
| 6 | TW392357 | 半导体元件的制造方法及其结构 | 2000.06.01 | 一种半导体元件的制造方法包括:先形成氮化矽间隙壁，再形成下窄上宽的MOS电容器的主体，接着先进行掺质 |
| 7 | TW396569 | 防止半导体元件其最上层金属线氧化的方法 | 2000.07.01 | 一种防止半导体元件其最上层金属线氧化的方法，此方法系在裸露于焊垫开口的最上层金属导线表面上形成一层氧 |
| 8 | TW351858 | 动态随机存取记忆体绝缘层上有矽的结构和制程 | 1999.02.01 | 一种动态随机存取记忆体绝缘层上有矽之结构和制程，包括：一氧化埋层上覆盖有矽表层且在矽基底之上；复数个 |
| 9 | TW341730 | 多阶唯读记忆体的制造方法 | 1998.10.01 | 一种多阶唯读记忆体(ROM)的制造方法，用以提高积集度，增加记忆体储存容量，并简化制程，其包括下列步 |
| 10 | TW240339 | 全方位式EEPROM记忆单元的制造方法 | 1995.02.11 | 一种全方位式EEPROM记忆单元的制造方法，适用于一第一型基板制作具有一选择闸电晶体及一堆叠闸电晶体 |
| 11 | TW240338 | 一种具复晶矽源/汲极之快闪记忆装置及其制法 | 1995.02.11 | 本发明系关于一种快闪记忆装置，藉由第一复晶矽悬浮闸表面形成之氧化层，因其表面精糙而可得较强之电场，当 |
| 12 | TW245373 | 降低金属焊垫剥离之焊垫构造 | 1995.04.11 | 本创作系关于一种降低金属焊垫剥离之焊垫构造，尤指一种改变半导体焊垫之结构型态为一种分布有栅状下凹缝隙 |
| 13 | TW245046 | 在EPROM的制程中可简单利用EPROM记忆格当作熔丝元件的方法 | 1995.04.11 | 一种在EPROM的制程中，可简单利用EPROM记忆格当作熔丝元件的方法，包括在预定要当作熔丝元件的记 |
| 14 | TW245037 | 利用全面曝光制造整体平坦化之沟槽式元件隔离区的方法 | 1995.04.11 | 在一矽基底表面上形成一垫氧化层；沈积一氮化矽层覆盖在该热氧化层之上；蚀刻该氮化矽层和该垫氧化层未被一 |
| 15 | TW230264 | 具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法(一) | 1994.09.11 | 一种具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法，适用于一第一型基板制作第一型MOS电晶体及第二型电 |
| 16 | TW214602 | 积体电路天线效应消除方法 | 1993.10.11 | 本发明系关于一种积体电路天线效应消除方法，主要针对积体电路上大面积接线区因后续制程产生『天线效应』（ |
| 17 | TW214601 | 积体电路薄型闸氧化层针孔化学检验方法 | 1993.10.11 | 本发明系一种积体电路薄型闸氧化层针孔化学检验方法，主要针对薄型闸氧化层之之针孔及裂缝等缺陷均小于０． |
| 18 | TW214611 | 用以消除天线效应之积体电路新布局制法 | 1993.10.11 | 本发明系关于一种用以消除天线效应之积体电路新布局制法，主要针对积体电路上大面积接线区因后续制程产生『 |
| 19 | TW215300 | 一种CMOS的内建式电流感测电路 | 1993.10.21 | 一种CMOS的内建式电流感测电路，包括一旁通二极体，耦接到一CMOS电路，用以将CMOS电路的暂态电 |
| 20 | TW217468 | 具有非平面式元件的唯读记忆体积体电路及其制造方法 | 1993.12.11 | 一种具有非平面式元件的唯读记忆体积体电路及其制造方法，该具有非平面式元件的唯读记忆体积体电路包括－基 |
| 21 | TW218934 | 共源闸极之缩小型静电保护电路 | 1994.01.11 | 本发明系关于一种共源闸极之缩小型静电保护电路，尤指一种针对积体电路之静电保护（ＥＳＤ）回路构造占用晶 |
| 22 | TW244652 | 复晶矽精确尺寸量测图案 | 1995.04.01 | 本创作系关于一种复晶矽精确尺寸量测图案，尤指一种改良传统复晶矽精确尺寸量测图案仅能提供主动区域量测、 |
| 23 | TW245819 | 具有掩埋环形孔道之局部矽氧化法 | 1995.04.21 | 一种具有掩理环形孔道之局部矽氧化法，适用于一矽基底上，以形成场氧化层。上述方法包括：依序形成一垫氧化 |
| 24 | TW245816 | 功率MOS电晶体的制造方法 | 1995.04.21 | 一种功率MOS电晶体的制造方法，包括下列步骤：于当作汲极区的第一型浓掺植半导体材料上依序形成第一型淡 |
| 25 | TW243543 | 降低积体电路所需讯号脚位之方法 | 1995.03.21 | 本案系关于一种降低积体电路所需讯号脚位之方法，其步骤包括：a )对于即将输入该积体电路各脚位之讯号作 |
| 26 | TW243538 | 间隔物形成后淡掺杂源极/汲极区布植之MOS电晶体制造方法 | 1995.03.21 | 一种间隔物形成后淡掺杂源极／汲极区布植之MOS电晶体制造方法，包括：提供一矽基底，并且在矽基底上定义 |
| 27 | TW200602688 | 彩色滤光基板及薄膜的制作方法 | 2006.01.16 | 一种彩色滤光基板的制作方法，其包括：(a)于一基板上形成一图案化之第一光阻层，其中第一光阻层具有多个 |
| 28 | TWI229811 | 多功能光学装置 | 2005.03.21 | 一种多功能光学装置包含有一开关，用来将该多功能光学装置于一滑鼠模式、一相机模式、以及一扫瞄器模式之间 |
| 29 | TW450120 | 废气氧化分解装置 | 2001.08.11 | 一种废气氧化分解装置，用以处理半导体制程中所排放之各式废气。其中加热装置可以使废气与其他气体反应，使 |
| 30 | TW449878 | 元件接触窗之制造方法 | 2001.08.11 | 一种元件接触窗的制造方法，首先，在一基底上具有一元件隔离结构，而定义出元件的主动区，主动区至少包括有 |
| 31 | TW449876 | 一种同时制作转接垫与位元线的方法 | 2001.08.11 | 本发明系提供一种同时制作一半导体晶片表面上动态随机存取记忆体中之转接垫与位元线的方法。该半导体晶片包 |
| 32 | TW409417 | 快闪记忆胞之制造方法 | 2000.10.21 | 一种快闪记忆胞之制造方法。使用斜角离子植入的方式，提供三种不同的制程，可直接在间隙壁形成之前或是形成 |
| 33 | TW322806 | 光阻挥发溶剂排除装置 | 1997.12.11 | 一种光阻挥发溶剂排除装置，装设在一光阻固化机上，并与光阻固化机之热室连接，该装置包括：一气泵；一管路 |
| 34 | TW322559 | 以解码器支援缺损记忆体之方法 | 1997.12.11 | 一种以解码器支援缺损记忆体之方法，其中，该解码器应用在一系统中，且耦接在系统中的一微控制器与一缓冲记 |
| 35 | TW222828 | 枪声闪烁积体电路 | 1994.04.21 | 本创作系关于一种枪声闪烁积体电路，尤指一种以一枪声合成器、一声音位准／密度侦测器、一频率产生器、一数 |
| 36 | TW224543 | 分离闸极快闪记忆体的制造方法 | 1994.06.01 | 一种分离闸极快闪记忆体的制造方法，利用在复晶矽浮动闸极层上方的ONO绝缘层之上，再形成一层第二复晶矽 |
| 37 | TW224539 | 大角度离子植入形成埋入集极之双极电晶体制法 | 1994.06.01 | 本发明系关于一种大角度离子植入形成埋入集极之双极电晶体制法，尤指一种改善传统形成双极电晶体埋入集极( |
| 38 | TW226477 | 自动对准接触导接的金氧半场效电晶体积体电路及其制造方法 | 1994.07.11 | 一种自动对准接触导接的金氧半场效电晶体积体电路的制造方法及其制成的积体电路，该制造方法主要包括：在基 |
| 39 | TW227623 | CMOS双井区的制造方法 | 1994.08.01 | 一种CMOS双井区的制造方法，系适用于半导体基板形成具有元件区的第一型井区及第二型井区，而上述CMO |
| 40 | TW234598 | 声音产生器输出电晶体动态偏压电路 | 1994.11.11 | 本发明系关于一种声音产生器输出电晶体动态偏压电路，尤指一种可于产生声音时切断电晶体偏压，以达到省电要 |
| 41 | TW234540 | 具有分类显示装置的分类机 | 1994.11.11 | 一种具有分类显示装置的分类机，可用以测试积体电路的品质并且将其分类至不同的贮存位置，同时可显示出各贮 |
| 42 | TW234172 | 测试微处理机机能之方法与装置 | 1994.11.11 | 一种测试微处理机机能之方法与装置。该微处理机可执行两阶段之自行测试。在第一阶段中，该微处理机系依序执 |
| 43 | TW236712 | 一种增强热载子(HOT CARRIER)承受力之装置及其方法 | 1994.12.21 | 本发明系有关一种增强热载子（HOT CARRIER）承受力之方法，主要系于场效电晶体闸极形成后，依序 |
| 44 | TW236710 | 介电质的制造方法 | 1994.12.21 | 一种介电质的制造方法，将厚度为20至60的氮化矽以750℃至950℃的温度，在0.1Torr至76T |
| 45 | TW238404 | 双井区的制造方法 | 1995.01.11 | 一种双井区的制造方法，适用于半导体基板制造第一型及第二型井区，而上述双井区的制造方法包括下列步骤：掺 |
| 46 | TW239572 | 气压式双排列积体电路测试脚座 | 1995.01.21 | 一种气压式双排列积的电路测试脚座，适用于与测试电路作电性连接，且以气压管线而与气压源连接，俾对分类机 |
| 47 | TW242195 | 快速场效电晶体的构造及其制造方法 | 1995.03.01 | 一种快速场效电晶体的构造，包括：一第一型基板；二第二型掺植区，分别形成于上述基板，而分别形成上述场效 |
| 48 | TW246725 | 共用积体电路脚位的方法 | 1995.05.01 | 本发明系有关于一种共用积体电路脚位的方法，且更特别地系有关于一种积体电路经由键盘扫描介面存取记忆体， |
| 49 | TW249287 | 唯读记忆体之旁通位元线的方法 | 1995.06.11 | 利用唯读记忆体必需的谱码程序，在不增加任何记忆单元的面积、数目以及不增加任何制造步骤、成本之清况下， |
| 50 | TW508773 | 封装结构 | 2002.11.01 | 一种封装结构包括一绝缘基板、一晶片以及一封装胶体。其中，绝缘基材上配置有一图案化线路，而绝缘基材的端 |
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